在半導體器件生產過程中，晶圓芯片表面會存在各種微粒、金屬離子、有機物及殘留的磨料顆粒等沾污雜質，為了避免污染物對芯處理性能造成致致命影響和缺陷，在保證不破壞芯處理及其他輔助材料表面特性、電特性的前提下，半導體晶圓在制造過程中，需要經過多次的表面清洗步驟，而晶圓光刻膠plasma等離子清洗機是晶圓級和3D封(feng)裝應用(yong)的理想的干式清洗設備(bei)。

晶圓光刻膠等離子清洗機的應用：

等離子(zi)應用(yong)包括預(yu)處理(li)、灰化/光(guang)刻(ke)膠/聚合物剝離(li)、晶(jing)圓(yuan)凸點、消除靜電(dian)、介電(dian)質(zhi)刻(ke)蝕、有機(ji)污染去除、晶(jing)圓(yuan)減(jian)壓等。使用等離(li)子清(qing)洗，不(bu)僅徹底去除光(guang)刻(ke)膠和其(qi)他有機(ji)物，而且活化(hua)和粗(cu)化(hua)晶(jing)圓(yuan)表面，提高晶(jing)圓(yuan)表面浸潤性。

等離子清洗機外(wai)觀(guan)簡潔，高(gao)度集成(cheng)化(hua)，該設備外(wai)觀(guan)簡潔、高(gao)度集成(cheng)化(hua)，可應用在半(ban)導體、微(wei)納電子、MEMS、PCB、 光學(xue)電子、光學(xue)制造、汽車(che)電子、醫療(liao)產品(pin)、生命科學(xue)、食品(pin)行業等領域(yu)，可對各(ge)種材料的表面進行有機物(wu)去除(chu)、清潔、靜(jing)電消(xiao)除(chu)，化學(xue)修飾或涂層沉積。

晶圓光刻膠等離子清洗機的清洗過程：

等離子清洗機清洗過程就是先將晶圓放入等離子清洗機的真空反應腔體內，然后抽取真空，達到一定真空度后通入反應氣體，這些反應氣體被電離形成等離子體與晶片表面發生化學和物理反應，生成可揮發性物質被抽走，使得晶圓表面變得清潔并具親水性。整個清洗工藝流程幾分鐘內即可完成,等離(li)子清洗需要控制的真空度約為(wei)100Pa，這種清洗條件很容易達到。因此這種裝置的設備成本不高，加上清洗過程氣固相干式反應，不消耗水資源，不需要使用價格較為昂貴的有機溶劑 ，這(zhe)使(shi)得整體成本要低于(yu)傳(chuan)統的濕法清洗(xi)工藝。而且(qie)解(jie)決了濕法去除晶圓表面的光刻膠(jiao)存在反應不能精準控制，清洗(xi)不徹(che)底，容易引入雜質等缺點。

作(zuo)為干法清(qing)洗等離子清(qing)洗機可控(kong)性強，一致性好，不僅徹底去除光刻膠有(you)機物，而(er)且還活化和粗(cu)化晶(jing)圓(yuan)表面，提(ti)高晶(jing)圓(yuan)表面浸潤性

晶圓清潔 - 等離子(zi)清洗機(ji)用(yong)于在(zai)晶圓凸點(dian)工藝前去除(chu)污(wu)染(ran)，還可以去除(chu)有機(ji)污(wu)染(ran)、去除(chu)氟和其它鹵素污(wu)染(ran)、去除(chu)金(jin)屬(shu)和金(jin)屬(shu)氧化。

晶圓刻蝕 - 等離子清洗機預處理晶圓的殘留光刻膠和BCB，重新分配圖形介(jie)電層，線(xian)條/光刻(ke)膠刻(ke)蝕，應(ying)用于晶圓(yuan)材(cai)料的附(fu)著力增強，去除多余的塑封材(cai)料/環氧樹脂，增強金焊料凸點的附(fu)著力，晶圓(yuan)減壓減少(shao)破碎，提高(gao)旋涂膜附(fu)著力，清潔鋁焊盤(pan)

等離子處理機有幾種稱謂(wei)，英(ying)文(wen)叫(jiao)（Plasma Cleaner）又稱等離(li)子體處理機,等離子清洗機，等離子(zi)處(chu)理(li)器,等離子(zi)處(chu)理(li)儀,等離子表面處理機,電漿處理機，plasma處理機，等離子刻蝕機，等離子體表面處理設備。 等離子處理機適合各種基片、粉體或顆粒狀材料的等離子表面改性、活化處理，包括：清洗、活化、刻蝕、去膠、接枝與涂鍍等工藝

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